高校数学でわかる半導体の原理
竹内淳著「高校数学でわかる半導体の原理」講談社(2007/3/21)
https://www.amazon.co.jp//dp/4062575450
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- p17 波長、振動数、速さの関係
- p17 距離分解能と波長
- p19 抵抗率
- p26 波長より短いものを空間的に識別することはできない
- p39 光のエネルギー
- p40, 53, 56 電子の運動エネルギーE
- p56 波数ベクトル
- p59 式{}内の近似
- p60 電子の状態密度
- p62 粒子の存在確率
- p64 フェルミ粒子の存在確率
- p70 電子の状態密度
- p72 フェルミ・ディラック分布からマクスウェル・ボルツマン分布への近似
- p73 伝導体中の電子密度 n
- p73~74 変数変換
- p80 フェルミエネルギー
- p87 フェルミ・ディラック分布の式
- p88 ドナー密度
- p89 ドナー密度の計算
- p107 電子の増加個数(毎秒)
- P121 ポアソン方程式(1次元)
- p125~131 pn結合
- p129 pn境界での電位一致、電界一致
- p130 c_2
- p130 c_4
- p133 1行目 空乏層の電界
- p133~134 擬フェルミ・エネルギー
- p135 pn接合に順方向バイアス
- p138 図版(中央右)
- p139 電子密度
- p140 n型半導体
- p140 p型半導体
- p142 ホール密度
- p143 ホールの拡散電流
- p145 ドリフト電流
- p151 ショットキー接合への順方向バイアス
- p153 温度上昇の影響
- p218 鏡面反射
- p225 反射率
- p248 量子井戸の状態密度
p17 波長、振動数、速さの関係
電波の波長
p17 距離分解能と波長
https://www.marubun.co.jp/service/technicalsquare/a7ijkd000000e1g3.html
(ミリ波レーダの基礎:MARUBUN)
p19 抵抗率
銅…
シリコン…
ガラス…
p26 波長より短いものを空間的に識別することはできない
https://www.olympus-lifescience.com/ja/support/learn/03/045/
(顕微鏡の能力 その1 ~分解能と倍率~:OLYMPUS)
p39 光のエネルギー
光のエネルギー
p40, 53, 56 電子の運動エネルギーE
質量
p56 波数ベクトル
波数ベクトル
波数ベクトル
p59 式{}内の近似
p60 電子の状態密度
単位体積当たりの電子の状態密度
グラフのイメージ(
p62 粒子の存在確率
エネルギー
グラフのイメージ(
p64 フェルミ粒子の存在確率
エネルギー
グラフのイメージ(
p70 電子の状態密度
単位体積当たりの電子の状態密度
グラフのイメージ(
p72 フェルミ・ディラック分布からマクスウェル・ボルツマン分布への近似
電子の存在確率
同様に、ホールについて、
ホールの存在確率
p73 伝導体中の電子密度 n
電子の存在確率は、上記の近似式(マクスウェル・ボルツマン分布)を用い、状態密度
p73~74 変数変換
なお、
p80 フェルミエネルギー
フェルミエネルギー
伝導体の電子数
p87 フェルミ・ディラック分布の式
p88 ドナー密度
飽和領域のドナー密度
価電子帯からの励起は無視できるほど小さいが、ドナー準位の電子はほとんど全てが励起されるような温度領域を考えると、
p89 ドナー密度の計算
ドナー密度
p107 電子の増加個数(毎秒)
左辺の次元は、電子密度
P121 ポアソン方程式(1次元)
電荷密度
p125~131 pn結合
pn接合の各領域の電位
電位のモデル式
p129 pn境界での電位一致、電界一致
電位のモデル式
同様に、領域2と領域3の境界(
電位・電界の両等式に導出済みの
p130 c_2
1行目の式より、
p130 c_4
3行目の式より、
p133 1行目 空乏層の電界
(?)右方向に電界が
(○)右(n型)から左(p型)の方向に電界が
p133~134 擬フェルミ・エネルギー
p型半導体とn型半導体を接合させた場合に、平衡状態では、両者の擬フェルミ・エネルギーが一致する(本書では未証明)。
p135 pn接合に順方向バイアス
p側に+、n側に-となるような電圧をかける。
→p側の電位V(ひいてはエネルギー準位
p138 図版(中央右)
(誤)
(正)
p139 電子密度
電子密度
(誤)
(正)
1行目から2行目への計算は、本書89頁・73~74頁と同様の計算。
2行目から3行目への積分範囲表示の変更は、本書138頁の式
p140 n型半導体
n型半導体の電子密度
2行目から3行目への式変形は本書73~74頁と同様。
p140 p型半導体
p型半導体の電子密度
p142 ホール密度
ホール密度
微分方程式
p143 ホールの拡散電流
ホールの拡散電流
ホール密度の解
よって、pn接合の
p145 ドリフト電流
図上部分のp型からn型部分への流れは電子の流れ(ドリフト電流は矢印が逆)
p151 ショットキー接合への順方向バイアス
金属部分に+、n型半導体に-の電圧を加える。
→n型半導体の電位(及びエネルギー準位)が-へ移動(図では上に移動)
p153 温度上昇の影響
- 導体 …抵抗率 up
- 半導体 …抵抗率 down
- 絶縁体 …抵抗率 down
p218 鏡面反射
鏡面反射では、反射面での入射波と反射波との波高合計が0となるべきなので、反射波の位相が
p225 反射率
光強度の反射率
p248 量子井戸の状態密度
半径
(高校数学の美しい物語)球の体積と表面積を積分で証明