今日から使える電磁気学

竹内淳著「今日から使える電磁気学」講談社(2006/4)
www.amazon.co.jp/dp/4061556592

読後メモ

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第1章 電磁気学の基本法則の発見

p9 1[C]の定義に用いたクーロン力

8.988×109[N]=k1[C]×1[C]1[m]2k=8.988×109[N m2C2]ここで、光速cを用いると、c2×107=299,792,4582×107=8.987551787×109なので、k=c2×107

p20 単位ベクトル

rri|rri|

p29 ビオ・サバールの法則

|H|=I4πr3|ds×r|=I4πr3|ds||r|sinθ=I4πr2Δs sinθ

p43 アンペール力

磁界Hに垂直な電流I2が単位長さあたりに受けるアンペール力
F=I2BLsinθ=I2μ0H×L×sinθ=I2μ0H×1×sinπ2=μ0I2H=μ0I2I12πr=μ0I1I22πr

p43 電流値1アンペアの定義

2×107[N]=μ0×1[A]22π×1[m]1[A]2=4π×107μ01[A]=4π×107μ0

第2章 マクスウェルの方程式

p71 帯電した平板におけるガウスの法則

ES+ES=ρSε0
式のESがプラスなのは、nの向きが内向き前提か

p73 コンデンサーの電界(図解)

(誤)乾電池の向き
(正)p21 のとおり、右側が+極

p91 アンペールの法則

円から一般形への拡張2πrH=H drをしているが、アンペールの法則が、円以外の形をする閉曲線でも成立することは、本書では未証明。

p93 ソレノイドの磁界

Hdr=|H||dr|cosπ2=0

p93 全巻き数N、全長L、長さ1mあたりのコイル巻き数n のソレノイドの磁界

H=nI=NLI

p95 ソレノイドの単位長さあたりに要する仕事W

W=0TiV dt=0Tiμn2Sdidtdt=0Iiμn2S di=μn2S[i22]0I=12I2μn2S

p96 ソレノイドの単位体積あたりの磁界のエネルギーW

W=12BH=12μH2

p101 マクスウェルの方程式(積分形)

εEn dS=ρ dvEr=ddtBn dSBn dS=0Hdr=jn dS+ddtεEn dS

p105~109 マクスウェルの方程式(微分形)

div E=ρεrot E=Btdiv B=0rot H=j+dεEdt
電束密度D=εEで表記替えすると、div D=ρrot E+Bt=0div B=0rot HDt=j
初期条件である第1式及び第3式(183頁)を下段に集めると、rot E+Bt=0rot HDt=jdiv D=ρdiv B=0

第3章 電磁波と光

p125 波を表す式

Ez(y,t)=E0 sin(wtky)
進行波と後退波
https://wakariyasui.sakura.ne.jp/p/wave/hadou/seigennha.html

p126 透磁率と誘電率

透磁率μ0、誘電率ε0、光速c
μ0=4π×107
ε0=14πk=14πc2×107
このため、
1μ0ε0=4πc2×1074π×107=c

p127 図3.6

133頁の外積による定義(ポインティング・ベクトル)によれば、y軸のマイナス方向への進行波か?
134頁では、これを偏波(偏光)と説明しているが、それでよいか?

p130 波長と同程度の長さより小さなものを見分けられない(解像度制限)

根拠は、本書では未説明。

p133 ポインティング・ベクトルの絶対値

|S|=|E×H|=|E||H|sinπ2=|EH|

p145~146 反射と透過波

要計算過程明示。

p153 屈折率

(誤)真夜中の光
(正)真空中の光

p154 分散公式

n2=εμε0μ0εε0=1+Ne2mε(ω02ω2)

第4章 エレクトロニクスと電気工学へ

p166 時定数RCの次元

[VA]×[CV]=[CA]=[CCs]=[s]

p169 磁束とコイル巻数

磁束ϕ、コイル巻き数N、磁束錯交数Nϕ

p171 損失Pと電圧Vとの関係

P=RI2
であるところ、変圧器の一次側の低電圧V1、高電流I1は、二次側の高電圧V2と低電流I2に変換できる。V1I1=V2I2

p172 分布定数回路

http://asaseno.aki.gs/tech/bunpu01.html

p175, 187 ポアソン方程式

ラプラシアン、ナブラΔ
(2x2+2y2+2z2)ϕ=ρε2ϕ=ρεΔϕ=ρε

p177 電荷の分布モデル

pd=nd

p180 電位と電界

電位ϕ、電界E
(Ex,Ey,Ez)=(ϕx,ϕy,ϕz)
につき、式(4.2.19上)をxで偏微分したものが、式(4.2.19下)

第5章 マクスウェルの方程式の高度な理解

p187 電磁ポテンシャルとマクスウェル方程式第4式

rotH=j+dε0EdtrotBμ0=j+dε0EdtrotB=μ0j+μ0ε0dEdtrotB=μ0j+1c2dEdtrotB1c2dEdt=μ0j
これに電磁ポテンシャル
B=rotAE=tAgradϕ
を代入すると、式(5.15)となる。

p188 電磁ポテンシャルとマクスウェル方程式第1式

div grad ϕ=Δϕ
を使用(本書では未証明の公式)

p189 ゲージ変換

rot grad ϕ=0
を使用(p193の公式)

p190 マクスウェル方程式第1式のゲージ変換による簡単化

div(At)Δϕ=ρε0
を、ゲージ変換
AL=A+gradχϕL=ϕtχ
で置き換えると、
div(ALt)ΔϕL=ρε0
となる(本書では未証明)。これに、ローレンツ条件
divAL=1c2ϕLtdiv(ALt)=1c22ϕLt2
を代入すると、
1c22ϕLt2ΔϕL=ρε0(1c22t2Δ)ϕL=ρε0